سبد خرید شما خالی است!
ترانزیستور اثر میدان، دستهای از ترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آنها توسط یک میدان الکتریکی صورت میگیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند،میتوان آنها را جزو ترانزیستورهای تکقطبی محسوب کرد که در مقابل ترانزیستورهای دوقطبی (که حاملهای اکثریت و اقلیت همزمان در آنها نقش دارند) قرار میگیرند.
BSP254 P-channel vertical D-MOS intermediate level FET Suitable for high frequency a..
به من اطلاع بده!
IRF9510 Power MOSFET -100V 1.2 OHM -4A LOW RDS ON Silicone Gated For Fast Switching..
به من اطلاع بده!
IRF9530 Power MOSFET -100V 0.3 OHM -12A LOW RDS ON Silicone Gated For Fast Switchin..
به من اطلاع بده!
IRF9540 Power MOSFET -100V 0.20 OHM -19A LOW RDS ON Silicone Gated For Fast Switchi..
18,000 تومان
IRF9640 Power MOSFET -200V 0.50 OHM -11A LOW RDS ON Silicone Gated For Fast Switchi..
30,000 تومان
کالا در حال حاضر موجود نمیباشد.ایمیل خود را وارد نمایید، زمانی که کالا در دسترس باشد به شما اطلاع میدهیم.